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晶体管微缩并不是提升电子科技类产品性能和功能的唯一途径，台积电正在探索多种路径。
近日，台积电发布了2025年12月营收报告，合并营收约为 3350.03 亿元新台币，较上月减少了 2.5%，较去年同期增加了 20.4%。2025年1至12月累计营收约为38090.54亿元新台币，较去年同期增加了31.6%。市场消息指出，台积电2nm的营收有望在2026年第三季度超越3nm与5nm营收的总和。
在此时机，Gordon Feller独家采访了台积电关于其下一步发展趋势的问题，虽然台积电回避了部分问题，但是仍旧回答了关于半导体技术和行业的问题。
Gordon Feller：台积电在向2纳米以下制程技术过渡的过程中，预见到了哪些突破或障碍？
台积电：我们在 2 纳米节点引入的最大创新是纳米片晶体管结构（Nanosheet Transistor Structure），也被称为全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）。这是向前迈出的一大步，因为这是我们历史上第二次采用全新的晶体管结构，也是自 2014 年在 16 纳米节点从平面晶体管转向鳍式场效应晶体管（FinFET）以来的首次。经过多年克服技术挑战，台积电终于实现2纳米技术的量产。
我们将在A16节点采用另一项重大创新——Super Power Rail，即我们的背面供电技术（Backside Power Technology）。这种方式通过将正面布线资源专门用于信号传输，并将电源布线移至背面，来提升了逻辑密度和性能。这种结构使 A16 成为具有复杂信号路由和密集供电网络的高性能计算的理想选择。
GF：哪些长期技术，例如量子器件、硅光子学或替代材料（例如二维材料、纳米片场效应晶体管），是最大有可能影响台积电2纳米以后的战略？
台积电：台积电致力于尽可能推动晶体管微缩。然而，这并不是持续提升电子科技类产品性能和功能的唯一途径。我们正在探索多种路径，例如通过3D IC实现系统级改进、设计技术协同优化（DTCO）以及创新新材料。
在晶体管微缩方面，我们在CFET的研究上取得了出色进展，这种技术将晶体管堆叠在一起，而不是排列在同一平面上。我们还对仅有一个分子厚度的二维材料以及碳纳米管等一维材料来了大量研究。虽然这些仍处于研究阶段，尚未列入开发路线图，但它们在解决未来晶体管缩小有关问题方面显示出巨大的潜力。
除了晶体管本身，许多研究还涉及系统级性能，即系统内的芯片如何相互作用以及与其他系统的交互。这包括硅光子学，以及解决当许多芯片封装在同一个封装中时出现的散热和电源管理问题。AI要求处理器能够以尽可能快的速度访问海量数据，在先进封装方面的许多工作都围绕着创建更大的系统，以集成更多的内存和计算能力。
我们已提供了晶圆级系统（System-on-Wafer）技术，这是一个12英寸晶圆大小的单一系统，其计算能力可能相当于一个数据中心服务器机架，甚至是整个服务器。与此同时，我们已经在展望晶圆之外的领域，正在对更大的面板级系统来进行探索性研究。
GF：鉴于资本密集度的上升以及中国台湾以外地区预期较低的良率学习曲线，台积电如何评估其全球晶圆厂扩张战略，特别是在美国、日本和欧洲的长期回报状况？
台积电：关于良率学习曲线，正如我们的董事长兼首席执行官魏哲家博士在投资者会议上所指出的，我们在亚利桑那州的第一座晶圆厂已于2024年第四季度利用N4制程技术进入大批量生产，良率与在中国台湾的晶圆厂相当。跟着时间的推移，我们将利用在亚利桑那州逐步扩大的规模并致力于运营，以改善成本结构。随着规模的扩大，该基地将创造更大的规模经济，并有助于在美国培育更完整的半导体供应链ECO。我们还将继续与客户和供应商密切合作，以管理相关影响。
我们在欧洲和日本的晶圆厂是为这些地区重要的特色技术而设计的，其规模与我们在亚利桑那州的计划不同。然而，我们有信心继续应用我们在中国台湾和海外学到的经验。
GF：在 AI 加速的经济环境中，台积电对全球半导体需求建模了哪些情景？这些情景可能会怎么样影响公司长达数十年的产能规划和资本支出？
台积电：我们观察到2025年全年与AI相关的需求依然强劲，我们将继续为这一需求驱动的长期大趋势做投资。不过，我们也将继续专注于业务基本面，即技术领导力、卓越制造和客户信任，以进一步巩固竞争地位。
总体而言，我们每年的资本支出都是为了预期未来几年的增长而投入的。尽管行业存在短期周期性，但我们始终相信，如果结构性的长期需求存在，且未来机遇存在，我们将继续投资。我们严格的资本支出和产能规划仍然基于长期的市场需求状况。
